[发明专利]含磷掺杂剂以及使用含磷掺杂剂在半导体衬底中形成磷掺杂区域的方法有效
| 申请号： | 200980121738.0 | 申请日： | 2009-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN102057466A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 黄红敏;C·高;Z·丁;A·彭;刘亚群 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曹小刚;林毅斌 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供含磷掺杂剂、在半导体材料中形成磷掺杂区域的方法以及制备含磷掺杂剂的方法。在一个实施方案中，含磷掺杂剂包含磷源，该磷源包含含磷盐、含磷酸、含磷阴离子或其组合；碱性材料、源自碱性材料的阳离子或其组合；和液体介质。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 以及 使用 半导体 衬底 形成 区域 方法 | ||
【主权项】：
含磷掺杂剂，包含：磷源，其包含含磷盐、含磷酸、含磷阴离子或其组合；碱性材料、源于碱性材料的阳离子或其组合；和液体介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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