[发明专利]用于烃的气相接触氧化的催化剂、其制备方法和使用该催化剂的烃的气相氧化方法无效
| 申请号： | 200980122037.9 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102056662A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 金镇道;车京龙;琴相燮;文相翕 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社;首尔大学校产学协力团 |
| 主分类号： | B01J23/00 | 分类号： | B01J23/00;C07C51/21;C07C253/24 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 朱梅;刘晔 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有提高的产率和选择性的用于烃的气相接触氧化的催化剂、其制备方法和使用该催化剂的烃的气相氧化方法。所述催化剂包含：Mo、V、Te和Nb的复合金属氧化物；和附着到该复合金属氧化物上的钯或氧化钯，其中，附着到所述复合金属氧化物上的钯与包含在所述复合金属氧化物中的钼的原子摩尔比在0.00001∶1～0.02∶1的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相接 氧化 催化剂 制备 方法 使用 | ||
【主权项】：
一种用于烃的气相接触氧化的催化剂，该催化剂包含：钼(Mo)、钒(V)、碲(Te)和铌(Nb)的复合金属氧化物；和附着到该复合金属氧化物上的钯(Pd)或氧化钯，其中，附着到所述复合金属氧化物上的钯与包含在所述复合金属氧化物中的钼的原子摩尔比在0.00001∶1～0.02∶1的范围内。
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