[发明专利]采用形成于底导体上的选择性制造的碳纳米管可逆电阻转变元件的存储器单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200980122196.9 | 申请日： | 2009-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102067313A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 阿普里尔·D·施里克 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一些方面，提供了一种制造存储器单元的方法，该方法包括：(1)在衬底上制造第一导体；(2)在第一导体上选择性制造碳纳米管(“CNT”)材料，通过(a)在第一导体上制造CNT籽晶层，其中CNT籽晶层包括硅锗(“Si/Ge”)，(b)平坦化所沉积的CNT籽晶层表面，且(c)在CNT籽晶层上选择性制造CNT材料；(3)在CNT材料上制造二极管；且(4)在二极管上制造第二导体。提供了众多的其他方面。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 形成 导体 选择性 制造 纳米 可逆 电阻 转变 元件 存储器 单元 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种制造存储器单元的方法，所述方法包括：在衬底上制造第一导体；在所述第一导体上选择性地制造碳纳米管(“CNT”)材料，通过：在所述第一导体上制造CNT籽晶层，其中的CNT籽晶层包括硅锗；平坦化所述沉积CNT籽晶层的表面；且在CNT籽晶层上选择性地制造CNT材料；在所述CNT材料上制造二极管；且在所述二极管上制造第二导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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