[发明专利]具有类似漏斗的沟槽结构的太阳能电池无效
申请号: | 200980122261.8 | 申请日: | 2009-06-14 |
公开(公告)号: | CN102099927A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·夏皮尔;尼西姆·本约瑟夫;尤里埃尔·利维 | 申请(专利权)人: | 耶路撒冷希伯来大学伊森姆研究发展公司;申卡尔工程和设计学院 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0352;H01L27/142 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;王伶 |
地址: | 以色列*** | 国省代码: | 以色列;IL |
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摘要: | 本发明提供了一种包括一个或更多个太阳能电池的容积式太阳能结构。该太阳能结构包括具有图案化表面的第一导电类型的半导体衬底,该图案限定了类似漏斗形状的间隔开的沟槽的阵列,以及第二相反导电类型的材料层,其至少位于衬底的图案化表面的一部分上。该结构因此限定了结区,在这些结区中通过该结构所暴露于的入射辐射能来产生电荷载流子。这些结区位于衬底的图案化表面上的不同高度处。 | ||
搜索关键词: | 具有 类似 漏斗 沟槽 结构 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种包括一个或更多个太阳能电池的容积式结构,该结构包括:具有图案化表面的第一导电类型的半导体衬底,该图案限定了类似漏斗形状的间隔开的沟槽的阵列;以及第二相反导电类型的材料层,其至少位于所述衬底的所述图案化表面的一部分上,由此,该结构限定了结区,在这些结区中通过该结构所暴露于的入射辐射能产生电荷载流子,所述结区位于所述衬底的所述图案化表面上的不同高度处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的