[发明专利]用于改善的传感器灵活性和改善的气隙性能的AMR阵列磁性设计有效
| 申请号： | 200980122477.4 | 申请日： | 2009-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102066965A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | A.德米特里夫;K.E.范奥斯特兰 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01B7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;蒋骏 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于改善的传感器灵活性和改善的气隙性能的AMR阵列磁性位置感测系统。可以将一对磁铁封闭在沿着路径移动且位于AMR位置传感器阵列之上的磁铁载体中。所述磁铁一般遍及磁铁的长度被磁化，并且所述磁铁被设置在载体中，使得磁铁之间的角以与由AMR位置传感器的表面上的AMR滑槽形成的角类似的方式存在以产生其磁通线。AMR位置传感器与均匀的磁通线接触以感测与磁铁载体相关联的直线和角位置的变化。由AMR位置传感器生成的输出信号对气隙的变化具有较低的敏感度，因为由磁铁产生的磁通线的角不随着气隙变化而变。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 传感器 灵活性 性能 amr 阵列 磁性 设计 | ||
【主权项】：
一种AMR位置感测系统，包括： 两个磁铁，其位于磁铁载体中，其中，所述两个磁铁遍及所述两个磁铁的长度被磁化，并且其中，所述磁铁位于所述磁铁载体中；以及 多个AMR位置传感器，其位于所述磁铁载体下面所述两个磁铁之间，其中，所述多个AMR位置传感器与磁通线接触以便生成对气隙变化具有较低敏感度的信号，使得所述磁通线的角不相对于气隙变化而变，并且其中，所述两个磁铁之间的角类似于由所述多个AMR位置传感器的表面上的AMR滑槽形成的角。
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