[发明专利]包括递变区域的半导体发光器件无效
| 申请号： | 200980122644.5 | 申请日： | 2009-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102067342A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | P.N.格里洛特;R.I.阿尔达茨;E.I.陈;S.萨利姆 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 龚海军;刘鹏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一个或多个递变组份的区域被包括在III-P发光器件中以减小与器件中的界面关联的Vf。根据本发明的实施例，半导体结构包括布置在n型区域和p型区域之间的III-P发光层。递变区域布置在p型区域和GaP窗口层之间。铝组份在递变区域中是递变的。递变区域可具有至少150nm的厚度。在一些实施例中，除了p型区域和GaP窗口层之间的递变区域，铝组份还在布置在蚀刻停止层和n型区域之间的递变区域中是递变的，或者替代p型区域和GaP窗口层之间的递变区域，铝组份在布置在蚀刻停止层和n型区域之间的递变区域中是递变的。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 递变 区域 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区域和p型区域之间的III‑P发光层；GaP窗口层；以及布置在p型区域和GaP窗口层之间的递变区域，其中铝组份在递变区域中是递变的，并且递变区域具有至少150nm的厚度。
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