[发明专利]用于存储器的检测和纠正错误，存储器的位状态具有不同的错误抗力有效
| 申请号： | 200980122673.1 | 申请日： | 2009-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102084426A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | A·布热罗尔;T·卡里埃;F·米勒 | 申请（专利权）人： | 欧洲航空防务及航天公司EADS法国;阿斯特里姆简易股份公司 |
| 主分类号： | G11C5/00 | 分类号： | G11C5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 为了实现一种抵抗离子或光子侵害的存储器，选择一种存储器结构，其存储点相对这些侵害具有不对称表现。在这种情况下，对于一个相同和周期性的存储结构只需一个参考单元以能够纠正这次侵害影响到的所有存储单元。这样通过简单的冗余，就能得到1/2的纠正错误的效率，而传统的方法为达到同样的结果需要三倍存储以得到不太有益的1/3效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 检测 纠正 错误 状态 具有 不同 抗力 | ||
【主权项】：
一种存储器，包括‑具有不对称表现的单或多个存储单元，‑不对称表现，由处于第一电子状态的存储单元在受辐射侵害时向第二电子状态改变状态的灵敏性引起，这种从第一状态向第二状态过渡的灵敏性比从第二状态向第一状态过渡的灵敏性小，‑由具有不对称表现的存储单元形成的存储单元对，‑一个单元对的第一单元和所述单元对的第二单元，所述第一单元载有第一二进制信息，所述第二单元载有第二二进制信息，‑用于检测一个存储单元对的存储单元载有两个相冲突的信息而不是两个相一致的信息的检测器，和其特征在于包括‑单元对的载有与第一状态相应的信息的参考存储单元，‑逻辑线路，用于根据单元对的所述参考存储单元，当单元对的单元状态相互冲突时，确定单元对中处于第二状态的存储单元。
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