[发明专利]具有背侧沟槽的背侧照射式图像传感器有效
申请号: | 200980123136.9 | 申请日: | 2009-07-07 |
公开(公告)号: | CN102067316A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 弗雷德里克·T·布雷迪 | 申请(专利权)人: | 柯达公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示一种背侧照射式图像传感器,其包含:传感器层,其实施像素阵列的多个光敏元件(1100);氧化物(800)层,其邻近所述传感器层的背侧表面;及至少一个电介质层(1200),其邻近所述传感器层的前侧表面。所述传感器层进一步包含形成于所述传感器层的所述背侧表面中且经布置以提供所述光敏元件的相应对之间的隔离的多个背侧沟槽。所述背侧沟槽具有形成于所述传感器层中的对应背侧场隔离植入区,且所得结构提供载流子复合及邻近光敏元件之间的串扰的降低。所述图像传感器还可实施于数码相机或其它类型的数字成像装置中。 | ||
搜索关键词: | 具有 沟槽 照射 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种用于形成多个图像传感器的晶片级处理方法,每一图像传感器具有经配置以用于背侧照射的像素阵列,所述图像传感器利用图像传感器晶片而形成,所述图像传感器晶片包含衬底及形成于所述衬底上方的传感器层,所述方法包含以下步骤:在所述传感器层的背侧表面中形成背侧沟槽;通过所述背侧沟槽将掺杂剂植入到所述传感器层中以便形成对应于所述背侧沟槽的背侧场隔离植入区;填充所述背侧沟槽;在所述经填充背侧沟槽上方形成至少一个抗反射层;及进一步处理所述图像传感器晶片以形成所述多个图像传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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