[发明专利]无定形二氧化硅粉末、其制造方法、树脂组合物及半导体密封材料有效

专利信息
申请号: 200980123257.3 申请日: 2009-06-16
公开(公告)号: CN102066254A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 西泰久;佐佐木修治;村田弘 申请(专利权)人: 电气化学工业株式会社
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18;C09K3/10;H01L23/29;H01L23/31;C08K3/36;C08L63/00;C08L101/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的课题在于提供一种即使高填充无机填料,密封时的粘度仍较低、成型性进一步提高的半导体密封材料。另外提供适于制备这种树脂组合物的无定形二氧化硅粉末和无定形二氧化硅粉末的制造方法。在Si和Al的氧化物换算含有率为99.5质量%以上的无定形二氧化硅粉末中,15μm以上且小于70μm的粒度范围的Al含量以氧化物换算为100~30000ppm,3μm以上且小于15μm的粒度范围的Al含量以氧化物换算为100~7000ppm,全粒度范围的Al含量以氧化物换算为100~25000ppm,15μm以上且小于70μm的粒度范围的Al含量(A)与3μm以上且小于15μm的粒度范围的Al含量(B)之比(A)/(B)优选为1.0~20。
搜索关键词: 无定形 二氧化硅 粉末 制造 方法 树脂 组合 半导体 密封材料
【主权项】:
一种无定形二氧化硅粉末,其特征在于,15μm以上且小于70μm的粒度范围的Al含量以氧化物换算为100~30000ppm,3μm以上且小于15μm的粒度范围的Al含量以氧化物换算为100~7000ppm,全粒度范围的Al含量以氧化物换算为100~25000ppm,Si和Al的氧化物换算含有率为99.5质量%以上。
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