[发明专利]磁控溅射方法以及磁控溅射装置

摘要

在该溅射方法中，将多个细长堆积区域配置成：使得多个细长堆积区域在第一方向上分别横穿具有与半导体晶片相同的直径的圆形区域，并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开预定间隔排列；将多个细长堆积区域中的一个细长堆积区域配置成：使得一个细长堆积区域的沿第一方向延伸的边中的一边实质上通过圆形区域的中心；将多个细长堆积区域中的另一个细长堆积区域配置成：使得另一个细长堆积区域的在第二方向上的另一边通过圆形区域的边缘；设定多个细长区域中的每一个的宽度，使得将第二方向上的多个细长区域的多个宽度相加而得到的值等于圆形区域的半径；将多个细长靶配置成面对对应的多个细长区域，以使从多个细长靶射出的溅射粒子入射到对应的多个细长区域；与圆形区域重合地配置晶片；在将通过磁控放电生成的等离子体封闭在靶附近的情况下，使溅射粒子从靶的表面射出；使晶片以通过圆形区域的中心的法线作为旋转中心并以预定转速同轴旋转，从而在晶片表面上堆积膜。

主权项

一种磁控溅射方法，其中，将多个细长堆积区域配置成：使得所述多个细长堆积区域在第一方向上分别横穿具有与半导体晶片相同的直径的圆形基准区域，并且在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此隔开预定间隔排列；将所述多个细长堆积区域中的一个细长堆积区域配置成：使得所述一个细长堆积区域的沿所述第一方向延伸的边中的一边实质上通过所述圆形基准区域的中心；将所述多个细长堆积区域中的另一个细长堆积区域配置成：使得所述另一个细长堆积区域的沿所述第一方向延伸的边中的一边实质上通过所述圆形基准区域的边缘；设定所述多个细长堆积区域中的每一个细长堆积区域的宽度，使得将所述多个细长堆积区域的所述第二方向上的宽度相加而得到的值实质上等于所述圆形基准区域的半径；将多个细长靶配置成面对对应的所述多个细长堆积区域，以使从所述多个细长靶射出的溅射粒子入射到对应的所述多个细长堆积区域；将作为被成膜体的半导体晶片配置在相对于所述圆形基准区域的预定位置上；在所述多个细长靶中每一个细长靶的背侧驱动可动的磁体，从而在将通过磁控放电而生成的等离子体封闭在所述靶的附近的情况下，从所述靶的表面射出溅射粒子；以通过所述圆形基准区域的中心的法线作为旋转中心轴并以预定转速旋转所述半导体晶片，从而在所述半导体晶片表面上形成溅射粒子的堆积膜。