[发明专利]自旋转移矩存储器非破坏性自引用读取方法有效
| 申请号： | 200980123599.5 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102067230B | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | Y·陈;H·李;H·刘;R·王;D·季米特洛夫 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永;袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了一种自旋转移矩存储装置和非破坏性自引用读取机制。一种自引用读取自旋转移矩存储单元的方法包括：施加通过磁性隧道结数据单元的第一读取电流；形成第一位线读取电压；并将第一位线读取电压存储在第一电压存储器件中。磁性隧道结数据单元具有第一阻抗状态。然后该方法包括：施加通过具有第一阻态的磁性隧道结数据单元的第二读取电流；形成第二位线读取电压；并将第二位线读取电压存储在第二电压存储器件中。第一读取电流小于第二读取电流。然后将存储的第一位线读取电压与存储的第二位线读取电压比较以判断磁隧道结数据单元的第一阻抗状态是高阻状态还是低阻状态。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 转移 存储器 破坏性 引用 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种非破坏性自引用读取自旋转移矩存储单元的方法，包括：施加通过磁隧道结数据单元的第一读取电流并形成第一位线读取电压，所述磁隧道结数据单元具有第一阻态；将所述第一位线读取电压存储在第一电压存储器件中；施加通过具有第一阻态的所述磁隧道结数据单元的第二读取电流并形成第二位线读取电压，所述第一读取电流小于第二读取电流；将所述第二位线读取电压存储在第二电压存储器件中；以及将存储的第一位线读取电压与存储的第二位线读取电压比较以判断所述磁隧道结数据单元的第一阻态是高阻态还是低阻态，其中如果存储的第一位线读取电压基本等于或小于存储的第二位线读取电压，则将所述第一阻态确定为低阻态，并且其中如果存储的第一位线读取电压大于或不基本等于存储的第二位线读取电压，则将所述第一阻态确定为高阻态，并且其中如果存储的第一位线读取电压比存储的第二位线读取电压高出10％，则将所述第一阻态确定为高阻态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于希捷科技有限公司，未经希捷科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980123599.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
