[发明专利]用于具有缩小的位单元尺寸的自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器的写入操作有效
| 申请号： | 200980123764.7 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN102067231A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 金圣克;迈赫迪·哈米迪·萨尼;升·H·康;杨赛森 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于控制自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器(STT-MRAM)中的写入操作的系统、电路及方法。通过将源极线(SL)布置成大体上与字线(WL)平行且大体上垂直于位线(BL)来实现缩小的位单元尺寸。另外，在写入操作期间的一个实施例中，将高逻辑/电压电平施加到未选位单元的位线以防止无效写入操作。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 缩小 单元 尺寸 自旋 转移 力矩 磁阻 随机存取存储器 写入 操作 | ||
【主权项】：
一种自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)，其包含：位单元阵列，其具有大体上平行于耦合到第一行位单元的字线的源极线，其中所述源极线大体上垂直于耦合到所述第一行位单元的位线。
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