[发明专利]阴极单元及具有该阴极单元的溅射装置无效
| 申请号： | 200980123899.3 | 申请日： | 2009-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102066604A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 森本直树;近藤智保;森大介;中村久三 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阴极单元及具有该阴极单元的溅射装置，该阴极装置可在整个基板面上针对高纵横比的各个微孔被覆性良好地成膜，该阴极单元具有结构简单和制造成本低的特点。该阴极单元包括一托架(3)，托架的一侧表面上形成有至少一个凹部(4)；具有底部为筒状的靶部件(5)，该靶部件从其底部一侧装入与其分别对应的凹部中；以及，磁场发生装置(7)，其组装为在该靶部件的内部空间中产生磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 阴极 单元 具有 溅射 装置 | ||
【主权项】：
一种阴极单元，其特征在于包括：一托架，所述托架的一侧表面上形成有至少一个凹部；具有底部的筒状靶部件，所述靶部件从其底部一侧装入与其分别对应的凹部中；以及，磁场发生装置，其组装为在所述靶部件的内部空间中产生磁场。
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