[发明专利]溅射装置及溅射方法无效
| 申请号： | 200980123959.1 | 申请日： | 2009-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102066605A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 森本直树;近藤智保;镰田恒吉;中村久三 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红;常春 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种建设装置，该装置结构简单，成本低廉，在该溅射装置中，可以对具有大高径比的微孔上以良好的覆盖特性成膜。该溅射装置具有设置在真空室2内的一靶3和衬底W，该靶与该衬底相对设置；在所述靶的溅射面3a前方产生隧道状磁场的磁铁组件4、将溅射气体导入于所述真空室内的气体导入装置7，以及对所述靶施加负的电位的溅射电源5。还具备有用以产生一垂直磁场的磁场产生装置11u，11d，该磁场的磁力线M垂直的通过所述靶的溅射面及整个衬底的表面，且磁力线之间有规定的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射装置，用于对设置于真空室内的衬底的表面成膜，该装置包括：与所述衬底相对设置的靶，在所述靶的溅射面前方产生磁场的磁铁组件，将溅射气体导入所述真空室内的气体导入装置，以及对所述靶施加负电位的溅射电源，其特征在于：还具有用以产生一垂直磁场的磁场产生装置，该磁场的磁力线垂直通过所述靶的溅射面及整个衬底的表面，且磁力线之间有规定的间距。
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