[发明专利]激光退火方法及装置有效
| 申请号： | 200980124021.1 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN102077318A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 河口纪仁;川上隆介;西田健一郎;M正木;森田胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社IHI |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在激光的长轴方向的接缝部不会损害结晶性的均匀性，能够在基板整个面形成不能以目视确认接缝部的程度的良好的、均匀性高的结晶性半导体薄膜的激光退火方法及装置。在线状光束的照射中，通过配置在激光（2）的光路上的遮挡体（10），遮蔽与线状光束的端部对应的部分，以遮蔽量周期地增减的方式使遮挡体（10）工作。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种激光退火方法，使将激光整形为线状的线状光束对被处理物一边在线状光束的短轴方向相对地移动一边进行照射，对被处理物实施退火处理，其特征在于，使利用线状光束的短轴方向的相对移动的照射，在光束长轴方向错开在2列以上进行，这时，以邻接的列彼此的光束照射区域一部分重叠的方式进行照射，在线状光束的照射中，通过配置在激光的光路上的遮挡体，遮蔽与线状光束的端部对应的部分，以遮蔽量周期地增减的方式使遮挡体工作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
