[发明专利]图像传感器中的滤色器阵列对准标记形成无效
申请号: | 200980124862.2 | 申请日: | 2009-07-07 |
公开(公告)号: | CN102077349A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 弗雷德里克·T·布雷迪 | 申请(专利权)人: | 柯达公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种背侧照明式图像传感器,其包含:传感器层,其包括像素阵列的光敏元件;外延层,其形成于所述传感器层的前侧表面上;及滤色器阵列,其形成于所述传感器层的背侧表面上。所述外延层包括多晶硅滤色器阵列对准标记,其形成于对应于所述传感器层的所述前侧表面中的相应滤色器阵列对准标记开口的位置中。所述滤色器阵列与所述外延层的所述滤色器阵列对准标记对准。所述图像传感器可实施于数码相机或其它类型的数字成像装置中。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 中的 滤色器 阵列 对准 标记 形成 | ||
【主权项】:
一种在图像传感器晶片中形成滤色器阵列对准标记的方法,所述图像传感器晶片用以形成各自具有经配置以用于背侧照明的像素阵列的多个图像传感器,所述图像传感器晶片至少包括衬底及传感器层,所述方法包括以下步骤:在所述传感器层中形成滤色器阵列对准标记开口;及在所述传感器层的前侧表面上形成外延层;其中所述外延层包括多晶硅滤色器阵列对准标记,其形成于对应于所述传感器层中的所述滤色器阵列对准标记开口中的相应标记开口的位置中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的