[发明专利]使用不平衡的磁场和共转来控制生长硅晶体的熔体-固体界面形状无效

专利信息
申请号: 200980125319.4 申请日: 2009-06-29
公开(公告)号: CN102076890A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: H·斯里德哈拉默西;M·S·库尔卡尼;R·G·施伦克;J·C·侯泽;H·W·科布 申请(专利权)人: MEMC电子材料有限公司
主分类号: C30B15/30 分类号: C30B15/30;C30B30/04;C30B29/06
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 杨晓光;张静娟
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种有助于控制熔体-固体界面的形状的生长硅晶体的系统。所述晶体生长系统包括被加热的坩埚,所述被加热的坩埚包括用于从其根据卓克拉尔斯基工艺生长单晶锭的半导体熔体。在籽晶上生长从所述熔体拉拔的所述锭。所述方法包括:将不平衡的会切磁场施加到所述熔体;以及在从所述熔体拉拔所述锭的同时沿相同方向旋转所述锭和所述坩埚。
搜索关键词: 使用 不平衡 磁场 共转来 控制 生长 晶体 固体 界面 形状
【主权项】:
一种控制晶体生长系统中的晶体生长的方法,所述晶体生长系统具有被加热的坩埚,所述被加热的坩埚包括半导体熔体,从所述半导体熔体根据卓克拉尔斯基工艺生长单晶锭,在籽晶上生长从所述熔体拉拔的所述锭,所述方法包括:将不平衡的会切磁场施加到所述熔体;以及在从所述熔体拉拔所述锭的同时沿相同方向旋转所述锭和所述坩埚。
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