[发明专利]垂直腔表面发射激光器件、垂直腔表面发射激光器阵列、光学扫描设备、成像设备、光学发射模块和光学发射系统有效
| 申请号： | 200980125447.9 | 申请日： | 2009-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102077428A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 轴谷直人;佐藤俊一;菅原悟;本村宽 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王冉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件，其相对于衬底垂直发射光，并且包括：包括有源层的谐振器结构；和半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括限制结构，该限制结构同时限制注入的电流和振荡光的横向模式，所述限制结构具有氧化区域，该氧化区域围绕电流通过区域，氧化区域是通过氧化包含铝的选择性氧化层来形成的并包括至少一种氧化物，其中，所述选择性氧化层在厚度上至少为25nm；且所述半导体多层发射器包括减小在横向上的光学限制的光学限制减弱区域，并且该光学限制减弱区域相对于谐振器结构设置在衬底侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 表面 发射 激光 器件 激光器 阵列 光学 扫描 设备 成像 模块 系统 | ||
【主权项】：
一种垂直腔表面发射激光器件，其相对于衬底正交地发光，该垂直腔表面发射激光器件包括：包括有源层的谐振器结构；半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括限制结构，该限制结构同时限制注入的电流和振荡光的横向模式，所述限制结构具有氧化区域，该氧化区域围绕电流通过区域，氧化区域是通过氧化包含铝的选择性氧化层并包括至少一种氧化物来形成的，其中，所述选择性氧化层在厚度上至少为25nm；且所述半导体多层反射器包括减小在横向上的光学限制的光学限制减弱区域，并且该光学限制减弱区域相对于谐振器结构设置在衬底侧上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社理光，未经株式会社理光许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980125447.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：检测线专用壁挂式单门工具储藏箱
- 下一篇：机床主轴往复运动控制系统
