[发明专利]使用多有源沟道层的薄膜晶体管

摘要

本文揭示的实施例大致上关于TFTs以及制造TFTs的方法。在TFTs中，有源沟道层携送电流于源极与漏极电极之间。通过调适有源沟道的组成，可以控制电流。有源沟道可以包含三层，即栅极控制层、体层及界面控制层。该些个别的层可以具有不同的组成。此外，栅极控制层、体层及界面控制层的各者可以包含多个具有不同组成的层。有源沟道的各层的组成包含氧、氮、以及选自由锌、铟、镉、锡、镓及其组合所组成群组的一或多个元素。通过改变该些层之间的组成，可以控制各层的迁移率、载流子浓度及导电率，以制造具有所希望性质的TFT。

主权项

一种薄膜晶体管，包含：栅极介电层，其设置在栅极电极与基板上方；有源沟道，其耦接到该栅极介电层而与该基板相对，该有源沟道包含：一或多个栅极控制层，其包含氧、氮、以及选自由锌、铟、锡、镉与镓所组成群组的一或多个元素且具有第一组成，该一或多个栅极控制层的至少一者与该栅极介电层接触；一或多个体层，其与该一或多个栅极控制层的至少一者接触，该一或多个体层包含氧、氮、以及选自由锌、铟、锡、镉与镓所组成群组的一或多个元素且具有第二组成，该第二组成不同于该第一组成；以及一或多个背沟道界面控制层，其与该一或多个体层的至少一者接触，该一或多个背沟道界面控制层包含氧、氮、以及选自由锌、铟、锡、镉与镓所组成群组的一或多个元素且具有第三组成，该第三组成不同于该第一组成与该第二组成的一者或多者；以及源极与漏极电极，其耦接到该一或多个背沟道界面控制层的至少一者。