[发明专利]用以制造高效能金属氧化物和金属氮氧化物薄膜晶体管的栅极介电层处理无效
| 申请号： | 200980125888.9 | 申请日： | 2009-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102077356A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 叶雁 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明实施例大体上包括薄膜晶体管(TFT)和其制造方法。TFT的栅极介电层会影响TFT的临界电压。经由在沉积主动通道材料前处理栅极介电层，可改进临界电压。处理栅极介电层的一方法涉及使栅极介电层接触N2O气体。处理栅极介电层的另一方法涉及使栅极介电层接触N2O等离子体。氧化硅虽未实际应用到硅基TFT的栅极介电层，但其用于金属氧化物TFT时，也可改进临界电压。经由处理栅极介电层及/或使用氧化硅，可改进TFT的临界电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 制造 高效能 金属 氧化物 薄膜晶体管 栅极 介电层 处理 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管制造方法，该方法包含：沉积一栅极介电层至一栅极电极和一基板上；使该栅极介电层接触一含氧等离子体；沉积一半导体层至该栅极介电层上，该半导体层包含氧、氮、及一或多个选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的元素；沉积一导电层至该半导体层上；以及蚀刻该导电层而界定一源极与一漏极和一主动沟道，该主动沟道暴露出一部分的该半导体层。
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