[发明专利]超韧单晶掺硼金刚石有效
| 申请号： | 200980125978.8 | 申请日： | 2009-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN102084492A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 梁琦;严智秀;毛和光;罗素·赫姆利 | 申请（专利权）人： | 华盛顿卡耐基研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0312 | 分类号： | H01L31/0312 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有至少约22MPa m1/2的韧度的单晶掺硼CVD金刚石。本发明进一步涉及制备单晶掺硼CVD金刚石的方法。该金刚石的生长速率可以是20-100μm/h。 | ||
| 搜索关键词： | 超韧单晶掺硼 金刚石 | ||
【主权项】：
通过微波等离子体化学气相沉积生长的单晶掺硼金刚石，其具有至少约22MPam1/2的韧度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华盛顿卡耐基研究所，未经华盛顿卡耐基研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980125978.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种手机数据接口
- 下一篇：太阳能磁钉无线传输禁鸣自动警示牌
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
