[发明专利]氮化物半导体激光元件无效
| 申请号： | 200980126170.1 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102084560A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 太田征孝;伊藤茂稔;津田有三;麦华路巴武吕;高桥幸司 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张远 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，其特征为包含：基板(100、200、300)；在基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301)；在n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)、在氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)；以及在p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309)，氮化物半导体活性层(104、204、304)具有包含铟的氮化物半导体阱层(131)和氮化物半导体障壁层(132)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体激光元件，其特征在于，包含：基板(100、200、300)；在上述基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301)；在上述n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)；在上述氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)；以及在上述p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309)，上述氮化物半导体活性层(104、204、304)具有：包含铟的氮化物半导体阱层(131)；和氮化物半导体障壁层(132)。
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