[发明专利]制备具有低光学吸收系数的掺杂型砷化镓衬底晶片的方法有效
| 申请号： | 200980126246.0 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102089467A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | U·克雷策;F·伯尔纳;S·艾希勒;F·克罗普夫甘斯 | 申请（专利权）人： | 弗赖贝格化合物原料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B15/04;C30B11/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 邓毅 |
| 地址： | 德国弗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本申请公开了一种通过熔融砷化镓起始材料并随后使砷化镓熔体凝固来制备掺杂型砷化镓单晶的方法，其中该砷化镓熔体含有相对于化学计量组成过量的镓，且其中在该熔体中或者在所获得的晶体中提供至少5x1017cm-3的硼浓度。可由此获得的晶体的特征在于，低位错密度、高传导性且仍然优异的极低光学吸收率(特别是在近红外范围内)的独特组合。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 具有 光学 吸收系数 掺杂 型砷化镓 衬底 晶片 方法 | ||
【主权项】：
通过熔融砷化镓起始材料并随后使砷化镓熔体凝固来制备掺杂型砷化镓单晶的方法，其特征在于，该砷化镓熔体含有相对于化学计量组成过量的镓，和在该熔体中或者在所获得的晶体中提供至少5x1017cm‑3的硼浓度。
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