[发明专利]浮置栅极之上的电介质盖有效
| 申请号： | 200980126320.9 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102084463A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 达纳·李;亨利·钦;詹姆斯·卡伊;塔卡西·W·奥里莫托;维诺德·R·普拉亚思;乔治·马塔米斯 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/423;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包括一组非易失性存储元件的存储器系统。特定的存储器单元在浮置栅极之上设置有电介质盖。在一个实施例中，该电介质盖位于浮置栅极和共形IPD层之间。该电介质盖降低了浮置栅极和控制栅极之间的漏电流。该电介质盖通过减弱浮置栅极顶部的电场强度将漏电流降低，且对于具备细干的浮置栅极，在不设置电介质盖的情况下，浮置栅极顶部的电场强度最强。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 之上 电介质 | ||
【主权项】：
一种形成非易失性存储器的方法，所述方法包括：形成具有顶部和至少两个侧部的浮置栅极(504，514，520，902)；在所述浮置栅极的顶部形成电介质盖(505，514，904，912，926，946)；在所述浮置栅极的所述至少两个侧部周围和所述电介质盖的顶部之上形成栅极间电介质层(528)；和在所述浮置栅极的顶部之上形成控制栅极，所述栅极间电介质层将所述控制栅极和所述浮置栅极间隔开(530)。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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