[发明专利]外延迁移堆栈和方法无效
申请号: | 200980126340.6 | 申请日: | 2009-05-29 |
公开(公告)号: | CN102084464A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 美利莎·艾契尔;哈利·艾华特;汤玛士·吉密特;何甘;安德瑞斯·海吉杜斯;雷格·东克;斯图尔特·索南费尔特 | 申请(专利权)人: | 奥塔装置公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 李冬梅;郑霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的实施方案通常涉及外延迁移(ELO)薄膜和器件,以及用来形成这类膜和器件的方法。ELO薄膜通常包括外延生长层,其在配置于基底例如晶片之上或上方的牺牲层上形成。支撑柄可配置在除了基底外的外延材料的相对侧上。支撑柄可例如通过给外延材料提供压缩来稳定外延材料。此外,在ELO工艺的蚀刻和移除步骤期间,支撑柄可用于抓紧以及支撑住外延材料。在不同实施方案中,支撑柄可包括预先弯曲的柄、多层柄、非均匀蜡柄和两个收缩诱发柄,其普通地或单向地收缩,以给外延材料提供压缩。 | ||
搜索关键词: | 外延 迁移 堆栈 方法 | ||
【主权项】:
一种用于在外延迁移工艺期间形成薄膜材料的方法,包括下列步骤:在基底上的牺牲层上方形成外延材料;将压平的预先弯曲的支撑柄黏合至所述外延材料之上,其中所述压平的预先弯曲的支撑柄通过压平弯曲的支撑材料而形成,且所述压平的预先弯曲的支撑柄承受张力,而所述外延材料受到压缩;在蚀刻工艺期间移除所述牺牲层;以及从所述基底剥离所述外延材料,同时在其间形成蚀刻裂缝,以及使所述压平的预先弯曲的支撑柄弯曲,以具有相当大的曲率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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