[发明专利]外延迁移堆栈和方法无效

专利信息
申请号: 200980126340.6 申请日: 2009-05-29
公开(公告)号: CN102084464A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 美利莎·艾契尔;哈利·艾华特;汤玛士·吉密特;何甘;安德瑞斯·海吉杜斯;雷格·东克;斯图尔特·索南费尔特 申请(专利权)人: 奥塔装置公司
主分类号: H01L21/302 分类号: H01L21/302
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 李冬梅;郑霞
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的实施方案通常涉及外延迁移(ELO)薄膜和器件,以及用来形成这类膜和器件的方法。ELO薄膜通常包括外延生长层,其在配置于基底例如晶片之上或上方的牺牲层上形成。支撑柄可配置在除了基底外的外延材料的相对侧上。支撑柄可例如通过给外延材料提供压缩来稳定外延材料。此外,在ELO工艺的蚀刻和移除步骤期间,支撑柄可用于抓紧以及支撑住外延材料。在不同实施方案中,支撑柄可包括预先弯曲的柄、多层柄、非均匀蜡柄和两个收缩诱发柄,其普通地或单向地收缩,以给外延材料提供压缩。
搜索关键词: 外延 迁移 堆栈 方法
【主权项】:
一种用于在外延迁移工艺期间形成薄膜材料的方法,包括下列步骤:在基底上的牺牲层上方形成外延材料;将压平的预先弯曲的支撑柄黏合至所述外延材料之上,其中所述压平的预先弯曲的支撑柄通过压平弯曲的支撑材料而形成,且所述压平的预先弯曲的支撑柄承受张力,而所述外延材料受到压缩;在蚀刻工艺期间移除所述牺牲层;以及从所述基底剥离所述外延材料,同时在其间形成蚀刻裂缝,以及使所述压平的预先弯曲的支撑柄弯曲,以具有相当大的曲率。
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