[发明专利]形成多个电容器的方法有效
| 申请号： | 200980126565.1 | 申请日： | 2009-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102089877A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德·D·菲什伯恩 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种形成多个电容器的方法，其包含使用两个遮蔽步骤形成多个个别电容器电极。所述两个遮蔽步骤中的较早者用来在多个存储节点触点上方形成第一开口阵列。所述两个遮蔽步骤中的较晚者用来形成部分地被接纳于所述第一开口阵列上方且从所述第一开口阵列部分地偏移的第二开口阵列。所述第一与第二开口的重叠部分被接纳于所述存储节点触点上方。在所述两个遮蔽步骤两者之后，将所述个别电容器电极的导电材料沉积到所述第一及第二开口中的每一者的所述重叠部分中。将所述个别电容器电极并入到多个电容器中。涵盖其它方面及实施方案。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电容器 方法 | ||
【主权项】：
一种形成多个电容器的方法，其包括：形成多个个别电容器电极，其包括使用两个遮蔽步骤，所述两个遮蔽步骤中的较早者用来在多个存储节点触点上方形成第一开口阵列，所述两个遮蔽步骤中的较晚者用来形成部分地被接纳于所述第一开口阵列上方且从所述第一开口阵列部分地偏移的第二开口阵列，所述第一与第二开口的重叠部分被接纳于所述存储节点触点上方；在所述两个遮蔽步骤两者之后，将所述个别电容器电极的导电材料沉积到所述第一及第二开口中的每一者的所述重叠部分中；及将所述个别电容器电极并入到多个电容器中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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