[发明专利]用于光刻设备的光学元件、包括这种光学元件的光刻设备以及制造该光学元件的方法有效

专利信息
申请号: 200980126677.7 申请日: 2009-07-22
公开(公告)号: CN102089713A 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: L·斯基马恩奥克;V·班尼恩;R·莫尔斯;D·克鲁什考沃;A·M·雅库尼恩 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明公开了一种光刻设备,包括光学元件,所述光学元件包括定向的碳纳米管薄层。所述光学元件具有大约20-500nm范围的元件厚度,并且在用EUV辐射垂直照射的条件下对波长范围为大约1-20nm的EUV辐射具有至少20%的透射率。定向的碳纳米管薄层本身可以用作光学元件,并且可以设计用以减少碎片和/或提高EUV与不想要的辐射的比值。薄层由于其强度不必需要支撑。本发明的光学元件可以是非支撑的。
搜索关键词: 用于 光刻 设备 光学 元件 包括 这种 以及 制造 方法
【主权项】:
一种光刻设备,包括光学元件,所述光学元件包括定向的碳纳米管薄层,所述光学元件具有大约20‑500nm范围内的元件厚度,并且在用EUV辐射垂直照射的条件下对波长范围为1‑20nm的EUV辐射具有至少20%的透射率。
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