[发明专利]用于检测等离子体处理室中的等离子体不稳定的无源电容耦合静电(CCE)探针装置有效
| 申请号： | 200980126805.8 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102084471A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杰-保罗·布斯;米琪奥·纳盖;道格拉斯·L·凯尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于检测衬底处理过程中等离子体处理系统的处理室内的等离子体不稳定的装置。该装置包含探针装置，其中所述探针装置设置于所述处理室的表面上并被配置为测量至少一个等离子体处理参数。所述探针装置包括面向等离子体的传感器和测量用电容器，其中所述面向等离子体的传感器耦合于所述测量用电容器的第一板。该装置还包括检测装置，所述检测装置耦合于所述测量用电容器的第二板。所述检测装置被配置为将流过所述测量用电容器的感应电流转换为一组数字信号，该组数字信号被处理以检测所述等离子体不稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 等离子体 处理 中的 不稳定 无源 电容 耦合 静电 cce 探针 装置 | ||
【主权项】：
一种用于检测衬底处理过程中等离子体处理系统的处理室内的等离子体不稳定的装置，包含：探针装置，其中所述探针装置设置于所述处理室的表面上并被配置为测量至少一个等离子体处理参数，其中所述探针装置包括面向等离子体的传感器，以及测量用电容器，其中所述面向等离子体的传感器耦合于所述测量用电容器的第一板；以及检测装置，所述检测装置耦合于所述测量用电容器的第二板，其中所述检测装置被配置为将流过所述测量用电容器的感应电流转换为一组数字信号，该组数字信号被处理以检测所述等离子体不稳定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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