[发明专利]用于等离子体处理室中的包括真空间隙的面向等离子体的探针装置有效
申请号: | 200980127002.4 | 申请日: | 2009-07-07 |
公开(公告)号: | CN102084475A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 杰-保罗·布斯;道格拉斯·L·凯尔 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/3065;H01L21/205 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 周文强;李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种测量处理室内的工艺参数的装置。该装置包括设于上电极的开口中的探针装置。探针装置包括探针头,该探针头包括头部和法兰部。该装置还包括设在该上电极和该法兰部之间的O形环。该装置进一步包括由定位在该头部和该上电极的开口之间的电气隔离材料制成的衬垫,以阻止该探针装置碰到该上电极。该衬垫包括被配置为至少支撑该法兰部的下侧的圆盘部。该衬垫还包括被配置为环绕该头部的中空柱形部。该衬垫在该O形环和到该处理室的开口之间形成直角路径,由此阻止该O形环和到该处理室的该开口的直视线路径。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子体 处理 中的 包括 真空 间隙 面向 探针 装置 | ||
【主权项】:
一种测量等离子体处理系统的处理室内的工艺参数的装置,包含:设于上电极的开口中的探针装置,其中所述探针装置包括探针头且所述探针头包括头部,其中所述头部是具有面向等离子体的表面的柱形塞并且被定位在所述上电极的所述开口内,以及法兰部,其中所述法兰部是直径比所述头部的直径更大的中空柱体结构并被定位在所述上电极的上表面上方;设在所述上电极的所述上表面和所述探针头的所述法兰部的面向底部的表面之间的O形环;以及由定位在所述探针头的所述头部的竖直侧壁和所述上电极的所述开口的竖直侧壁之间的电气隔离材料制成的衬垫,以阻止当所述探针装置被插入所述上电极的所述开口时所述探针装置碰到所述上电极,其中所述衬垫包括被配置为至少支撑所述探针头的所述法兰部的下侧的圆盘部,以及被配置为环绕所述探针头的所述头部的中空柱形部,其中所述中空柱形部具有比所述圆盘部更小的直径,其中所述衬垫在所述O形环和到所述处理室的开口之间形成直角路径,由此阻止所述O形环和到所述处理室的所述开口的直视线路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造