[发明专利]光电子半导体器件有效
| 申请号： | 200980127080.4 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102099918A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | J·奥尔松;L·萨米尔松 | 申请（专利权）人： | 昆南诺股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L31/06;H01L31/102;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;高为 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明提供了包含至少一个半导体纳米线(2)的光电子半导体器件，其中所述纳米线(2)包括纳米线核心(3)以及围绕所述纳米线核心(3)的至少一部分而被布置的至少一个壳层(4)。所述纳米线核心(3)和所述壳层(4)形成在操作中为载流子产生或载流子复合提供有源区(7)的pn结或pin结。适用于作为载流子复合中心或载流子产生中心的量子点(10)被布置在所述有源区(7)中。通过将所述纳米线核心(3)用作用于形成所述量子点(10)和所述壳层(4)的模板，可以获得均匀尺寸和一致分布的量子点。基本上，所述光电子半导体器件可以被用于光产生或光吸收。在前一情况中，所述光电子半导体器件是发光二极管或激光二极管，并且在后一情况中，所述光电子半导体器件是诸如光电二极管、光检测器或太阳能电池的光电器件。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种包括至少一个半导体纳米线(2)的光电子半导体器件，其中：所述纳米线(2)包括纳米线核心(3)和围绕所述纳米线核心(3)的至少一部分而被布置的壳层(4)；以及所述纳米线核心(3)和所述壳层(4)形成在操作中为载流子产生或载流子复合提供有源区(7)的pn结或pin结；其特征在于，所述有源区(7)包括适用于作为载流子复合中心或载流子产生中心的量子点(10)。
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