[发明专利]具有气体填充的镜的光电子半导体芯片有效
申请号: | 200980127692.3 | 申请日: | 2009-08-05 |
公开(公告)号: | CN102099926A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 文森特·格罗利尔;安德烈亚斯·普洛斯尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L33/38;H01L33/40;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 说明了一种光电子半导体芯片,具有:半导体本体(1),其包含有源区(10);镜层(2);以及接触部位(3),其设置在半导体本体(1)和镜层(2)之间并且引起半导体本体(1)和镜层(2)之间的距离(D),由此在镜层(2)和半导体本体(1)之间形成至少一个空腔(4),其中所述至少一个空腔(4)包含气体(40)。 | ||
搜索关键词: | 具有 气体 填充 光电子 半导体 芯片 | ||
【主权项】:
一种光电子半导体芯片,具有:‑半导体本体(1),其包含有源区(10),‑镜层(2),以及‑接触部位(3),其设置在半导体本体(1)和镜层(2)之间并且引起半导体本体(1)和镜层(2)之间的距离(D),由此在镜层(2)和半导体本体(1)之间形成至少一个空腔(4),其中‑所述至少一个空腔(4)包含气体(40)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的