[发明专利]利用H2等离子处理对有机线宽粗糙度的改进无效
| 申请号： | 200980127927.9 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102089868A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 约翰·Y·亚当斯;大卫·杨 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于在图案化有机掩模下方的蚀刻层中形成蚀刻特征过程中减小极低频线宽粗糙度(LWR)的方法。处理图案化有机掩模以降低图案化有机掩模的极低频线宽粗糙度，包括通入包括H2的处理气体，其中该处理气体具有一定流率并且H2的流率是处理气体的流率的至少50％，由处理气体形成等离子，以及停止处理气体流。通过具有降低到非常低的LWR的图案化有机掩模蚀刻该蚀刻层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 sub 等离子 处理 有机 粗糙 改进 | ||
【主权项】：
一种用于在图案化有机掩模下方的蚀刻层中形成蚀刻特征过程中减小极低频线宽粗糙度(LWR)的方法，包括：处理该图案化有机掩模以降低该图案化有机掩模的极低频线宽粗糙度，包括：通入包括H2的处理气体，其中该处理气体具有一定流率并且H2的流率是该处理气体的流率的至少50％；由该处理气体形成等离子；以及停止处理气体流；以及通过具有降低到非常低的LWR的该图案化有机掩模蚀刻该蚀刻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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