[发明专利]具有改善的电荷检出单元和像素几何结构的CMOS光栅3D照相机系统有效
申请号: | 200980128311.3 | 申请日: | 2009-07-17 |
公开(公告)号: | CN103189983B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | D·科恩;A·沙哈姆 | 申请(专利权)人: | 微软国际控股私有有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈斌;钱静芳 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种用于接收和对准来自场景的光的感光面,该感光面包括:第一半导体区,其中响应于入射到该感光面的光来产生电子‑空穴对;单个第一传导区,该第一传导区基本覆盖全部第一半导体区;至少一个第二半导体区,该至少一个第二半导体区由第一半导体区环绕;用于每个第二半导体区的不同的第二传导区,该第二传导区环绕第二半导体区并与第一传导区电绝缘;其中当第二传导区相对于所述第一传导区带正电时,通过入射到第一半导体区的光产生的电子在第二半导体区内聚集。 | ||
搜索关键词: | 具有 改善 电荷 检出 单元 像素 几何 结构 cmos 光栅 照相机 系统 | ||
【主权项】:
一种接收和对准来自场景的光的感光面,所述感光面包括:第一半导体区,在所述第一半导体区中响应于入射到所述感光面的光产生电子‑空穴对;单个的第一传导区,所述第一传导区覆盖全部所述第一半导体区;至少一个第二半导体区,所述至少一个第二半导体区由所述第一半导体区环绕;用于每个第二半导体区的不同的第二传导区,所述第二传导区环绕所述第二半导体区并与所述第一传导区电绝缘;其中当所述第二传导区相对于所述第一传导区带正电时,通过入射到所述第一半导体区的光所产生的电子在所述第二半导体区内聚集,其中聚集的电子从相对于所述第二半导体区的全部方位角方向迁移至所述第二半导体区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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