[发明专利]用于制造垂直构造的半导体发光装置的支撑衬底以及使用该支撑衬底的半导体发光装置有效
| 申请号： | 200980128829.7 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102099934A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 成泰连 | 申请（专利权）人： | 高丽大学校 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造垂直构造的半导体发光装置的支撑衬底和使用该支撑衬底的垂直构造的半导体发光装置，使在制造过程中从蓝宝石衬底分离的多层结构薄膜的损坏或破损最小化，从而改善所述半导体发光装置的整体性能。本发明的用于制造所述垂直构造的半导体发光装置的支撑衬底包括：由具有和层叠有III-V族氮基半导体的多层发光结构薄膜的蓝宝石衬底的热膨胀系数相差5ppm或者更少的材料所形成的所选择的支撑衬底；在所选择的支撑衬底上形成的牺牲层；在所述牺牲层的上部形成的厚金属膜；和在所述厚金属层的上部形成并由钎焊或者铜焊合金材料形成的粘结层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 垂直 构造 半导体 发光 装置 支撑 衬底 以及 使用 | ||
【主权项】：
一种用于制造垂直构造的半导体发光装置的支撑衬底，包括：由具有和蓝宝石衬底的热膨胀系数相差5ppm或者更少的材料所形成的所选择的支撑衬底，在所述蓝宝石衬底上层叠有包括III‑V族氮基半导体的多层发光结构薄膜；形成于所述所选择的支撑衬底上的牺牲层；形成于所述牺牲层的上部的厚金属膜；和形成于所述厚金属膜的上部的由钎焊或者铜焊合金材料形成的粘结层。
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