[发明专利]波长变换元件和制造波长变换元件的方法有效

专利信息
申请号: 200980128974.5 申请日: 2009-07-28
公开(公告)号: CN102105835A 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 佐藤一成;宫永伦正;山本喜之;中幡英章 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: G02F1/355 分类号: G02F1/355;G02F1/377
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陈海涛;樊卫民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种具有提高的性能保持寿命的波长变换元件。也公开了一种制造波长变换元件的方法。波长变换元件(10a)具有光波导(13),并对从所述光波导(13)的一端(13a)侧输入的入射光(101)的波长进行变换,使得从所述光波导(13)的另一端(13b)侧输出出射光(102)。所述波长变换元件(10a)包含由AlxGa(1-x)N(0.5≤x≤1)构成的第一晶体(11)和组成与所述第一晶体(11)相同的第二晶体(12)。所述第一晶体和第二晶体(11,12)形成畴相反结构,在所述畴反转结构中极化方向沿所述光波导(13)周期性反转。所述畴相反结构对于所述入射光(101)满足准相位匹配条件。所述第一晶体和第二晶体(11,12)中的至少一种晶体具有1×103cm-2以上且小于1×107cm-2的位错密度。
搜索关键词: 波长 变换 元件 制造 方法
【主权项】:
一种波长变换元件,所述波长变换元件具有光波导并对从所述光波导的一端输入的入射光的波长进行变换且从所述光波导的另一端输出出射光,所述波长变换元件包含:由AlxGa(1‑x)N(0.5≤x≤1)构成的第一晶体;和组成与所述第一晶体的组成相同的第二晶体,其中所述第一晶体和第二晶体形成畴相反结构,在该畴相反结构中极化方向沿所述光波导周期性反转,所述畴相反结构对于所述入射光满足准相位匹配条件,且所述第一晶体和第二晶体中的至少一种晶体具有1×103cm‑2以上且小于1×107cm‑2的位错密度。
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