[发明专利]光电转换装置的制造方法及光电转换装置无效
| 申请号： | 200980129037.1 | 申请日： | 2009-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN102105993A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 西宫立享;宇田和孝;川添浩平;马场智义;石出孝 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种尽可能防止电流经由中间接触层分离槽从中间接触层泄漏的光电转换装置的制造方法。该方法包括：制膜以非结晶硅为主成分的顶层(91)的工序；在顶层(91)上制膜对该顶层进行电连接及光学连接的中间接触层(93)的工序；照射脉冲激光，除去中间接触层(93)，并形成直至顶层(91)的中间接触层分离槽(14)而分离中间接触层(93)的工序；在中间接触层(93)上及中间接触层分离槽(14)内制膜对其进行电连接及光学连接且以微结晶硅为主成分的底层(92)的工序。作为分离中间接触层(93)的脉冲激光器，使用脉冲宽度为10ps以上750ps以下的脉冲激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置的制造方法，包括：制膜以硅为主成分的第一光电转换层的第一光电转换层制膜工序；在所述第一光电转换层上制膜对该第一光电转换层进行电连接及光学连接的中间接触层的中间接触层制膜工序；照射激光，除去所述中间接触层，并形成直至所述第一光电转换层的中间接触层分离槽而分离该中间接触层的中间接触层分离工序；制膜第二光电转换层的第二光电转换层制膜工序，该第二光电转换层在所述中间接触层上及所述中间接触层分离槽内对该中间接触层进行电连接及光学连接且以硅为主成分，其中，所述中间接触层分离工序利用脉冲宽度为10ps以上且750ps以下的脉冲激光器进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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