[发明专利]使用纳米线掩模的光刻工艺和使用该工艺制造的纳米级器件有效
| 申请号： | 200980129898.X | 申请日： | 2009-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102113104A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | A·科利 | 申请（专利权）人： | 诺基亚公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336;H01L51/00;H01L29/775;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;郑菊 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 本公开属于在半导体衬底(120)上制作纳米级场效应晶体管结构的方法。所述方法包括在多层衬底的半导体上层(122)上布置掩模，并在纳米线光刻工艺中去除上层(122)未被掩模覆盖的区域。掩模包括分隔一段距离的两个导电端子(132、134)以及跨所述距离与导电端子(132、134)接触的纳米线(110)。纳米线光刻使用深反应离子刻蚀执行，其导致纳米线掩模(110、132、134)与下方半导体层(122)的结合以形成场效应晶体管的纳米级的半导体沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 纳米 线掩模 光刻 工艺 制造 器件 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在多层衬底的半导体上层上布置掩模，所述半导体上层邻近绝缘体下层，以及在第一次光刻中去除所述上层未被所述掩模覆盖的区域，其中所述掩模包括分隔一段距离的第一导电片和第二导电片以及跨所述距离与所述第一导电片和所述第二导电片接触的纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
