[发明专利]带有相结构的边发射的半导体激光器有效
| 申请号： | 200980130080.X | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102113187A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 沃尔夫冈·施密德;乌韦·D·蔡纳;汉斯-克里斯托弗·埃克斯坦 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司;弗兰霍菲尔运输应用研究公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/20;H01S5/16;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李德山;周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出了一种边发射的半导体激光器，其具有带有波导区域(4)的半导体本体(10)，其中波导区域(4)具有设置在第一波导层(2A)与第二波导层(2B)之间的用于产生激光辐射的有源层(3)。波导区域(4)设置在第一覆盖层(1A)与第二覆盖层(1B)之间。半导体本体(10)具有主区域(5)和至少一个相结构区域(6)，在该相结构区域中构建有相结构，用于选择有源层(3)发射的激光辐射的横向模式。为了减少耦合损耗，相结构区域(6)设置在波导区域(4)之外或者通过如下区域(6)形成：在该区域中引入掺杂剂或者产生混匀结构。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 结构 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种边发射的半导体激光器，其具有带有波导区域(4)的半导体本体(10)，其中‑波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和设置在第一波导层(2A)与第二波导层(2B)之间的用于产生激光辐射的有源层(3)，‑波导区域(4)设置在第一覆盖层(1A)与第二覆盖层(1B)之间，该第二覆盖层在半导体本体(10)的生长方向上跟随在波导区域(4)之后，以及‑半导体本体(10)具有主区域(5)和至少一个与主区域(5)在横向方向上相邻的相结构区域(6)，在该相结构区域中构建有相结构，用于选择由有源层(3)所发射的激光辐射的横向模式，其特征在于，相结构区域(6)构建在波导区域(4)之外。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司;弗兰霍菲尔运输应用研究公司，未经欧司朗光电半导体有限公司;弗兰霍菲尔运输应用研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980130080.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
