[发明专利]在基质上形成含钽层的方法有效
| 申请号： | 200980130303.2 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102112654A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | N·布拉斯科;A·克雷亚-安娜克莱托;A·潘沙尔;A·曹纳;Z·王 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： |
一种在基质上形成含钽层的方法，所述方法包括至少如下步骤：a)提供包含至少一种式Cp(R1)mTa(NR22)2(＝NR3)(I)前体化合物的蒸气，其中R1为有机配体，其各自独立地选自H、包含1-6个碳原子的线性或支化烃基；R2为有机配体，其各自独立地选自H、包含1-6个碳原子的线性或支化烃基；R3为选自H、包含1-6个碳原子的线性或支化烃基的有机配体；b)根据原子层沉积方法使包含至少一种式(I)化合物的蒸气与基质反应，以在所述基质的至少一个表面上形成含钽配合物层。 |
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| 搜索关键词： | 基质 形成 含钽层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基质上形成含钽层的方法，所述方法包括至少如下步骤：a)提供包含至少一种下式Cp(R1)mTa(NR22)2(＝NR3)(I)前体化合物的蒸气：![]()
其中：R1为有机配体，其各自独立地选自H、包含1-6个碳原子的线性或支化烃基；R2为有机配体，其各自独立地选自H、包含1-6个碳原子的线性或支化烃基；R3为选自H、包含1-6个碳原子的线性或支化烃基的有机配体；b)根据原子层沉积方法使包含至少一种式(I)化合物的蒸气与基质反应，以在所述基质的至少一个表面上形成含钽配合物层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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