[发明专利]在靶材上同时使用射频和直流功率的超均匀溅射沉积法有效
| 申请号： | 200980130469.4 | 申请日： | 2009-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102113091A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 汪荣军;唐先民;刘振东;龚则敬;莫里斯·E·尤尔特 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在等离子增强物理汽相沉积反应器中，横越工件的沉积速率径向分布的均匀性通过施加射频与直流功率到靶材且独立地调整射频与直流功率的功率水平来提升。进一步最佳化可通过下述方式来达到：调整磁铁在靶材上方的高度；调整磁铁在靶材上方的轨道运动的半径；以及提供靶材的呈角度的边缘表面。 | ||
| 搜索关键词： | 靶材上 同时 使用 射频 直流 功率 均匀 溅射 沉积 | ||
【主权项】：
一种在腔室中于工件上执行等离子增强物理汽相沉积的方法，包含下述步骤：提供溅射靶材在靠近该腔室的室顶处，该靶材包含欲被沉积在该工件上的材料或材料的前驱物；支撑该工件在该腔室中使其面对该溅射靶材；将载气引入到该腔室中；提供磁铁于该靶材上方；施加射频功率与直流功率到该靶材以在靠近该靶材处产生等离子，并在该工件上形成来自该靶材的相应材料沉积，该沉积在该工件上具有沉积速率径向分布；执行下述其一：(A)通过增加射频功率的功率水平相对于直流功率的功率水平以第一修正下述其一：(a)中心高非均匀性的径向分布；或(b)边缘高非均匀性的径向分布；(B)通过增加直流功率的功率水平相对于射频功率的功率水平以第二修正下述其一：(a)中心高非均匀性的径向分布；或(b)边缘高非均匀性的径向分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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