[发明专利]三层磁性元件、其生产方法、使用这种元件的磁场传感器、磁性存储器和磁性逻辑门无效
| 申请号： | 200980130700.X | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN102119455A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | B·罗德马克;S·奥弗雷;B·迪尼;L·E·尼斯托 | 申请（专利权）人： | 法国原子能及替代能源委员会;法国国家科学研究中心 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/14;H01F10/12;G11C11/02;G01R33/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;蒋骏 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明的三层磁性元件，包括：在衬底上，第一氢化物－氧化物或氮化物－氧化物层O，在其上安装有金属磁性层M，所述金属磁性层M具有安装在其上的非铁磁性金属层M’，或第二氢化物－氧化物或氮化物－氧化物层O’。层M是连续的，具有1至5nm的厚度，并且在不存在层O和O’的情况下其磁化平行于层平面。对于等于或大于环境温度的温度范围，存在垂直于界面O/M和M/O’上的层平面的界面磁各向异性，其能够减少层M的实际消磁场或者以基本上垂直于层平面的方式定向层M的磁化。 | ||
| 搜索关键词： | 三层 磁性 元件 生产 方法 使用 这种 磁场 传感器 存储器 逻辑 | ||
【主权项】：
一种三层磁性元件，包括：衬底上的第一氧化物、氢化物或氮化物层O，在所述第一氧化物、氢化物或氮化物层O上安装有金属磁性层M，所述金属磁性层M具有安装在其上的非铁磁性金属层M’，或第二氧化物、氢化物或氮化物层O’：•其中层M是连续的，具有1至5nm的厚度，并且在不存在层O和O’的情况下其磁化平行于层平面，以及•其中，对于等于或大于环境温度的温度范围，存在垂直于界面O/M和M/O’上的层平面的界面磁各向异性，其能够减少层M的有效消磁场或者以基本上垂直于层平面的方式定向层M的磁化。
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