[发明专利]残渣剥离液组合物及使用其的半导体元件的洗涤方法

摘要

本发明提供残渣剥离液组合物及使用其的半导体元件的洗涤方法，所述残渣剥离液组合物在具有由铝(Al)或铝合金构成的金属配线的半导体基板的制造工序中，可将为了形成导通孔而进行干蚀刻及灰化后残留的抗蚀剂残渣及来源于钛(Ti)的残渣在低温、短时间内完全除去，并且不会腐蚀层间绝缘材料、配线材料等部件。该残渣剥离液组合物是含有(A)氟化铵；(B)甲磺酸；(C)具有碳-碳三键的化合物；(D)水溶性有机溶剂；以及(E)水的残渣剥离液组合物，并且，该残渣剥离液组合物中的(A)、(C)、(D)及(E)的含量分别为0.005～2质量％、0.1～10质量％、60～75质量％及5～38质量％，且(B)相对于(A)为0.9～1.5倍量(摩尔比)。

主权项

一种残渣剥离液组合物，所述残渣剥离液组合物含有：(A)氟化铵；(B)甲磺酸；(C)具有碳‑碳三键的化合物，其为选自3‑甲基‑1‑戊炔‑3‑醇、1‑乙炔基‑1‑环己醇、2‑丙炔‑1‑醇、2‑丁炔‑1，4‑二醇、4‑乙基‑1‑辛炔‑3‑醇、3‑甲基‑1‑丁炔‑3‑醇、1‑辛炔‑3‑醇、苯乙炔、3，3‑二甲基‑1‑丁炔、2‑丁炔‑1‑醇、3，5‑二甲基‑1‑己炔‑3‑醇及3‑己炔‑2，5‑二醇中的至少一种；(D)水溶性有机溶剂，其为选自多元醇类、二醇醚类及酰胺类中的至少一种；以及(E)水，该残渣剥离液组合物中的(A)、(C)、(D)及(E)的含量分别为0.005～2质量％、0.1～10质量％、60～75质量％及5～38质量％，且包含相对于(A)为0.9～1.5倍量(摩尔比)的(B)。