[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 200980131222.4 | 申请日: | 2009-08-10 |
公开(公告)号: | CN102119448A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 李裕进;张仁九;金东济;张锡弼;李永浩;李炳一;张泽龙 | 申请(专利权)人: | TG太阳能株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。本发明涉及的太阳能电池包括:基板(100);下部电极(111a),形成在基板(100)上;光电元件部(200a),包括形成在下部电极(111a)上且层叠有多个多晶半导体层(211a、212a、213a)的多晶光电元件(210)和形成在多晶光电元件(210)上且层叠有多个非晶半导体层(221、222、223)的非晶光电元件(220);以及上部电极(400),形成在光电元件部(200a)上。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包括:基板;下部电极,形成在上述基板上;光电元件部,包括形成在上述下部电极上且层叠了多个多晶半导体层的多晶光电元件、和形成在上述多晶光电元件上且层叠了多个非晶半导体层的非晶光电元件;以及上部电极,形成在上述光电元件部上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的