[发明专利]制造电容器、动态随机存取存储器阵列及电子系统的方法

摘要

一些实施例包括利用含碳支撑材料来制造螺栓型电容器的方法。开口可经形成而穿过所述含碳支撑材料达电节点，且随后导电材料可在所述开口内生长。接着可移除所述含碳支撑材料，且将所述导电材料用作螺栓型电容器的螺栓型存储节点。所述螺栓型电容器可并入到动态随机存取存储器(DRAM)中，且所述DRAM可用于电子系统中。

主权项

一种制造电容器的方法，其包含：在电节点上形成支撑材料，所述支撑材料包含至少20at％的碳；形成穿过所述支撑材料达所述节点的开口；从所述节点生长导电材料以至少部分地填充所述开口；所述导电材料实质上完全在所述开口内生长且对应于第一电容器电极，所述第一电容器电极具有沿所述支撑材料的侧壁；移除所述支撑材料的至少一些以暴露所述第一电容器电极侧壁的至少一部分；在移除所述支撑材料的所述至少一些之后，在所述第一电容器电极上形成电容器电介质材料；及在所述电容器电介质材料上形成第二电容器电极。