[发明专利]用于金属互连的共形粘附促进衬垫有效
| 申请号： | 200980131364.0 | 申请日： | 2009-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102124559A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 郑天人;李正文;黄洸汉;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 介电层(10)图案化有至少一个线槽和/或至少一个通路腔(15)。金属氮化物衬垫(20)形成在图案化介电层(10)的表面上。金属衬垫(30)形成在金属氮化物衬垫(20)的表面上。共形氮化铜层(40)通过原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)直接形成在金属衬垫(30)上。Cu籽晶层(50)直接形成在共形铜氮化物层(40)上。至少一个线槽和/或至少一个通路腔(15)被电镀材料(60)填满。共形氮化铜层(40)与Cu籽晶层(50)之间的直接接触提供增强的粘附强度。共形氮化铜层(40)可被退火以将暴露的外部转变成邻接的Cu层，该Cu层可被用以减小Cu籽晶层(50)的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 互连 粘附 促进 衬垫 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底上形成图案化介电层(10)；在所述图案化介电层(10)的图案化表面上直接形成金属氮化物衬垫(20)；在所述金属氮化物衬垫(20)上直接形成包括元素金属或金属间合金的金属衬垫(30)；以及通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)在所述金属衬垫(30)上直接形成包括氮化铜的共形粘附促进衬垫(40)。
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