[发明专利]温控热边缘环组合件有效
| 申请号： | 200980131677.6 | 申请日： | 2009-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102150243A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 拉金德尔·德辛德萨 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/34;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了适用于环绕等离子体反应室中受到支撑的半导体基底的温控热边缘环组合件。具有环形支撑面的基底支撑件环绕基底支撑面。射频(RF)联接环叠置于该环形支撑面之上。该环形支撑面和该RF联接环之间具有下垫片。该下垫片可导热、导电。热边缘环叠置于该RF联接环之上。该基底支撑件适用于支撑基底使得该基底的外边缘悬于该热边缘环之上。该热边缘环和该RF联接环之间具有上层导热介质。该热边缘环、该RF联接环以及该环状支撑面可被机械地夹紧。可将加热元件嵌入该RF联接环。 | ||
| 搜索关键词： | 温控 边缘 组合 | ||
【主权项】：
适用于环绕等离子体反应室中受到支撑的半导体基底的温控热边缘环组合件，该环组合件包括：具有环绕基底支撑面的环形支撑面的基底支撑件，叠置于该环形支撑面之上的射频(RF)联接环；该环形支撑面和该RF联接环之间的下垫片，该下垫片可导热、导电；叠置于该RF联接环之上的热边缘环，其中该基底支撑件适用于支撑基底使得该基底的外边缘悬于该热边缘环之上；以及该热边缘环和该RF联接环之间的上层导热介质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980131677.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锂离子动力电池用负极材料及其制备方法
- 下一篇：注水式涡旋空气压缩机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
