[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200980131934.6 | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102124567A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 松濑朗浩;矢野幸太郎 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/861;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;刘瑞东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具备表面平坦性优、与半导体基体的界面中的组成的均一性优、且可与肖特基接合层获得足够高粘合性的欧姆接合层的半导体装置。这样的半导体装置，具备：n型SiC半导体基体(1)；与SiC半导体基体(1)的一个主表面(1b)欧姆接触的阴极电极(5)；包括在SiC半导体基体(1)的另一个主表面(1a)形成的p型SiC的第一半导体区域(6a)；包括在另一个主表面(1a)形成的n型SiC的第二半导体区域(6b)；与第一半导体区域(1a)欧姆接触的欧姆接合层(7)；以及与第二半导体区域(6b)肖特基接触的肖特基接合层(8)；其中，欧姆接合层(7)的表面的均方根粗糙度为20nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：n型SiC半导体基体；阴极电极，其与上述SiC半导体基体的一个主表面欧姆接触；第一半导体区域，其在上述SiC半导体基体的另一个主表面形成且包括p型SiC；第二半导体区域，其在上述另一个主表面形成且包括n型SiC；欧姆接合层，其与上述第一半导体区域欧姆接触；以及肖特基接合层，其与上述第二半导体区域肖特基接触；其中，上述欧姆接合层的表面的均方根粗糙度为20nm以下。
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