[发明专利]穿硅通孔填充工艺有效
| 申请号： | 200980132002.3 | 申请日： | 2009-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102124551A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·D·里德;凯蒂·昆·王;马克·J·威利 | 申请（专利权）人： | 诺发系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种半导体电镀工艺，其以实质上无空隙的方式将铜沉积到穿硅通孔中以完全填充所述穿硅通孔。所述穿硅通孔的直径可大于约3微米，且其深度可大于约20微米。使用低铜浓度且高酸度的电镀溶液来将铜沉积到所述穿硅通孔中。 | ||
| 搜索关键词： | 穿硅通孔 填充 工艺 | ||
【主权项】：
一种镀敷穿硅通孔以连接至少两个集成电路的方法，其中所述穿硅通孔具有至少约3微米的直径和至少约20微米的深度，所述方法包含：(a)使具有穿硅通孔的结构与镀敷溶液接触，所述镀敷溶液具有(i)在约2与6之间的pH，以及(ii)浓度为至少约40克/升的铜离子；以及(b)在接触所述结构的同时，以实质上无空隙的方式且在小于约20分钟的时间内将铜镀敷到所述穿硅通孔中以完全填充所述穿硅通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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