[发明专利]表面处理的氮化铝挡板有效
| 申请号： | 200980132709.4 | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102132382A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·M·拉希德;德米特里·鲁博弥尔斯克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文提供关于氮化铝挡板的方法与设备。在某些实施例中，一用在半导体处理腔室中的挡板可包括主体，其包含氮化铝和金属氧化物粘结剂，其中在主体表面上的氮化铝与金属氧化物粘合剂的比率大于或等于主体内部的比率。在某些实施例中，主体可具有中心杆和外部环形物，其耦合至中心杆下部并从此处向外径向延伸。在某些实施例中，挡板的制造方法可包含烧结铝、氮和金属氧化物粘结剂，以形成挡板的主体，主体具有过量的金属氧化物粘结剂配置在其表面上；及从主体表面移除大量的过量金属氧化物粘结剂。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 氮化 挡板 | ||
【主权项】：
一种用在半导体处理腔室中的挡板，包含：主体，包含氮化铝和金属氧化物粘结剂，其中，在所述主体的表面上的氮化铝与所述金属氧化物粘结剂的比率大于或等于所述主体内部的所述比率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980132709.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：放电灯点亮装置
- 下一篇：用于无掩模光刻的聚焦斑点优化
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
