[发明专利]串联分段式发光二极管有效
| 申请号： | 200980132907.0 | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102132429A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 古拉姆·汉士奈因 | 申请（专利权）人： | 普瑞光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光源(60)及其制造方法。该光源(60)包括一基板(51)，及一被分成区段的发光结构(64，65)。该发光结构包含一第一导电型半导体材料第一层(52)系沉积在该基板(51)上、一活化层(55)系位于该第一层(52)上方，及一第二导电型半导体材料第二层(53)系位于该活化层(55)上方且该第二导电型相反于该第一导电型。一阻障(66)系分隔该发光结构成为彼此电气绝缘的第一与第二区段(64，65)。一串联电极(59)系连接该第一区段(64)中该第一层至该第二区段(65)中该第二层。一第一电力接点(61)系电气连接至该第一区段(64)中该第二层，及一第二电力接点(62)系电气连接至该第二区段(65)中该第一层。 | ||
| 搜索关键词： | 串联 段式 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种光源，该光源包括一基板；一发光结构，系包含：一第一导电型半导体材料第一层，系沉积在该基板上；一活化层，系位于该第一层上方；及一第二导电型半导体材料第二层，系位于该活化层上方，且该第二导电型系相反于该第一导电型；一阻障，系分隔该发光结构成为彼此电气绝缘的第一与第二区段；一串联电极，系连接该第一区段中该第一层至该第二区段中该第二层；一第一电力接点，系电气连接至该第一区段中该第二层；及一第二电力接点，系电气连接至该第二区段中该第一层，其中当该第一与第二电力接点间产生一电位差时该第一及第二区段产生光。
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